Компактные и высокопроизводительные модули флэш-памяти NOR для карманных устройств
17.11.05 17:36
Корпорация Intel объявила о начале массовых поставок первых в отрасли модулей многоуровневой ячеистой (multi-level cell, MLC) флэш-памяти NOR, производимых с использованием 90-нанометровой технологии. Новые модули Intel StrataFlash Cellular Memory (M18) обладают более высокой производительностью, более компактны и потребляют меньше энергии, чем предыдущие модули, производимые по 130-нанометровой технологии, что позволяет полнее удовлетворить потребности разработчиков мобильных телефонов, оснащенных камерами и цветными экранами, поддерживающих интернет-браузеры, воспроизведение видео и т. д. Модули M18 обеспечивают разработчикам мобильных телефонов уникальную комбинацию производительности, плотности монтажа и низкого энергопотребления, без чего трудно представить современный телефон. Более того, модули M18 разработаны на основе надежной и экономически эффективной технологии MLC пятого поколения и производятся с использованием 90-нанометрового техпроцесса. Модули M18 отличаются самой высокой в отрасли скоростью чтения, благодаря чему могут использовать шину, работающую с той же частотой, что и наборы микросхем для мобильных телефонов следующего поколения: до 133 МГц. Это ускоряет выполнение пользовательских приложений, поскольку взаимодействие набора микросхем и памяти осуществляется быстрее, чем в модулях, производимых с использованием 130-нанометровой технологии. Благодаря скорости записи, достигающей 0,5 МБ/с, модули M18 поддерживают трехмегапиксельные камеры и воспроизведение видео в формате MPEG4. OEM-производителям использование этих модулей выгодно тем, что осуществить их программирование в заводских условиях можно в три раза быстрее, чем модулей, производимые с применением 130-нанометровой технологии, что способствует снижению производственных расходов. На программирование модулей M18 и стирание записанных в них данных расходуется соответственно в три и два раза меньше энергии по сравнению с модулями предыдущего поколения, к тому же они поддерживают новый режим работы Deep Power Down, который еще больше продлевает срок работы устройства без перезарядки аккумулятора. Кроме того, модули M18 отличаются повышенной плотностью монтажа: корпорация Intel предлагает микросхемы памяти объемом 256 и 512 Мб, а также стандартные стековые решения объемом до 1 Гб. Передовые стандартные стеки Intel объединяют технологии NOR и RAM и поддержку нескольких архитектур шин, позволяя OEM-производителям быстрее разрабатывать новые устройства и повышать гибкость поставок. Модули Intel StrataFlash Cellular Memory (M18) прекрасно подходяят для телефонов Sony Ericsson с расширенной функциональностью благодаря отличной производительности, высокой плотности монтажа и привлекательной стоимости , по словам Питера Карлссона (Peter Carlsson), вице-президента и руководителя службы снабжения компании Sony Ericsson.
Чтобы помочь разработчикам ускорить интеграцию новых карманных устройств, корпорация Intel бесплатно предоставляет им ПО Intel Flash Data Integrator (Intel FDI) следующего поколения. ПО Intel FDI v7.1 обеспечивает открытую архитектуру, облегчающую интеграцию файловой системы флэш-памяти с операционными системами реального времени, и расширяет возможности разработчиков благодаря трем новым функциям: Mountable USB, поддержке нескольких томов и поддержке буферов RAM.
|