Компания Seiko Epson сообщила, что она разработала первый в мире гибкий модуль памяти TFT-SRAM. Для изготовления такого модуля используется специальная технология, которая позволяет интегрировать все необходимые электронные цепи на гибкую пластиковую подложку.
TFT-SRAM имеет объем 16 Кбит и может работать при напряжении 3 или 6 В. Чип состоит из одной ячейки, включающей шесть транзисторов. Параметры модуля составляют 10,77х8,28 мм, а толщина всего 200 мкм. Время доступа к данным при 3 В для чтения информации - 650 нс, для записи - 325 нс, а при 6 В - 200 и 100 нс соответственно.
Модуль может быть применен в другой разработке Epson - 8-битном асинхронном процессоре ACT11. Также компания рассчитывает, что TFT-SRAM будет использоваться для создания миниатюрных и легких электронных устройств.
